DDB2U60N12W1RFB11BPSA1
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 60A EASY1B1
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Тип диода：
Single Phase
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение - пиковое обратное (макс.)：
1.2 kV
Ток - Средний выпрямленный (Io)：
60 A
Технология：
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If：
1.85 V @ 60 A
Поставщик Устройство Корпус：
AG-EASY1B-1
Ток - Обратная утечка при Vr：
174 µA @ 1200 V
