FF200R12W2T7EB11BPSA1
FF200R12W2T7EB11BPSA1
FF200R12W2T7EB11BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
Корпус：
Module
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)：
1200 V
输入：
Standard
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Термистор：
Yes
IGBT Тип：
Trench Field Stop
Ток коллектора (Ic) (макс.)：
165 A
Мощность - Максимальная：
20 mW
Конфигурация：
Half Bridge Inverter
Ток отсечки коллектора (макс.)：
15 µA
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic：
1.8V @ 15V, 200A
Входная емкость (Cies) при Vce：
43400 pF @ 25 V
