BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
场效应晶体管类型：
P-Channel
漏极至源极电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
4.5V, 10V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
2V @ 34µA
供应商器件封装：
PG-SOT23-3-U03
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
320mA (Ta), 550mA (Tc)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
1.09 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
72 pF @ 30 V
最大功耗：
400mW (Ta), 1.04W (Tc)
