IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
零件状态：
Active
场效应晶体管类型：
N-Channel
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
69A (Tc)
封装 / 外壳：
TO-247-4
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
60 nC @ 18 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
15V, 18V
最大栅源电压：
+23V, -7V
供应商器件封装：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.1V @ 8.6mA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
1990 pF @ 800 V
最大功耗：
289W (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
34mOhm @ 27A, 18V
