IAUCN04S7N006TATMA1
IAUCN04S7N006TATMA1
IAUCN04S7N006TATMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
Automotive
认证：
AEC-Q101
漏极至源极电压 (Vdss)：
40 V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
7V, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
146 nC @ 10 V
最大功耗：
205W (Tc)
供应商器件封装：
PG-LHDSO-10-3
封装 / 外壳：
10-LSOP (0.209", 5.30mm Width) Exposed Pad
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
425A (Tj)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
0.64mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
3V @ 115µA
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
10040 pF @ 20 V
