IDWD60G120C5XKSA1
SIC DISCRETE
IDWD60G120C5XKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
零件状态：
Active
等级：
-
认证：
-
工作温度 - 结温：
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向(Vr)(最大值)：
1200 V
封装 / 外壳：
TO-247-2
正向电压 - 最大值 @ 测试电流：
1.8 V @ 60 A
技术：
SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度：
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间：
0 ns
供应商器件封装：
PG-TO247-2-U01
电流 - 平均整流值 (Io)：
153A
反向漏电流 @ 反向电压：
480 µA @ 1.2 kV
电容 @ 反向电压, 法拉：
3580pF @ 1V, 100kHz
