IMDQ75R004M2HXTMA1
IMDQ75R004M2HXTMA1
IMDQ75R004M2HXTMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
15V, 20V
最大栅源电压：
+23V, -7V
封装 / 外壳：
22-PowerBSOP Module
供应商器件封装：
PG-HDSOP-22
漏极至源极电压 (Vdss)：
840 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
357A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
3.2mOhm @ 170A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.6V @ 57.7mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
342 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
11844 pF @ 500 V
最大功耗：
1499W (Tc)
