IMZA120R022M2HXKSA1
IMZA120R022M2HXKSA1
IMZA120R022M2HXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
零件状态：
Active
场效应晶体管类型：
N-Channel
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)：
1200 V
封装 / 外壳：
TO-247-4
最大功耗：
329W (Tc)
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
最大栅源电压：
+25V, -10V
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
15V, 18V
供应商器件封装：
PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
5.1V @ 10.1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
71 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
2330 pF @ 800 V
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
29mOhm @ 32A, 18V
