IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 规格
零件状态：
Active
安装类型：
Surface Mount
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
等级：
-
认证：
-
漏极至源极电压 (Vdss)：
200 V
封装 / 外壳：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
最大功耗：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
10V, 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
5500 pF @ 100 V
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4.5V @ 186µA
供应商器件封装：
PG-TO263-3-U01
