IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
零件状态：
Active
场效应晶体管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）：
10V
最大栅源电压：
±20V
场效应晶体管特性：
-
等级：
-
认证：
-
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
最大功耗：
521W (Tc)
连续漏极电流 (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss)：
650 V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs：
173 nC @ 10 V
封装 / 外壳：
TO-247-4
供应商器件封装：
PG-TO247-4-U02
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流：
4.7V @ 1.48mA
导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压：
18mOhm @ 55.6A, 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds：
8290 pF @ 400 V
