AIMDQ75R025M2HXTMA1
AIMDQ75R025M2HXTMA1
AIMDQ75R025M2HXTMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
Automotive
Calificación：
AEC-Q101
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
Disipación de Potencia (Máx.)：
272W (Tc)
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
15V, 20V
Vgs (Máx.)：
+23V, -7V
Paquete / Carcasa：
22-PowerBSOP Module
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
49 nC @ 18 V
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-HDSOP-22
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
840 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 36.7A, 20V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.6V @ 8.1mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1729 pF @ 500 V
