IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1
IMZA120R026M2HXKSA1 Specifications
Tipo de Montaje：
Through Hole
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de FET：
N-Channel
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
69A (Tc)
Paquete / Carcasa：
TO-247-4
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
60 nC @ 18 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
15V, 18V
Vgs (Máx.)：
+23V, -7V
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TO247-4-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.1V @ 8.6mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1990 pF @ 800 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
289W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
34mOhm @ 27A, 18V
