ISCH99N04NM7VATMA1
ISCH99N04NM7VATMA1
ISCH99N04NM7VATMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
40 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
85 nC @ 10 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V, 15V
Paquete / Carcasa：
8-PowerTDFN
Disipación de Potencia (Máx.)：
3W (Ta), 150W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TDSON-8
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
4400 pF @ 20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
40A (Ta), 284A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
0.9mOhm @ 50A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
3.15V @ 66µA
