BSP170IATMA1
BSP170IATMA1
BSP170IATMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET：
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
60 V
Paquete / Carcasa：
TO-261-3
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4V @ 270µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
13.5 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
550 pF @ 30 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-SOT223-4-U01
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
1.88A (Ta), 3.2A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
260mOhm @ 1.9A, 10V
