BSP171IATMA1
BSP171IATMA1
BSP171IATMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET：
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Paquete / Carcasa：
TO-261-3
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2V @ 270µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
8.4 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
550 pF @ 30 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
250mOhm @ 1.9A, 10V
Disipación de Potencia (Máx.)：
1.8W (Ta), 5W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
1.9A (Ta), 3.2A (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-SOT223-4-U01
