BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1
BSS131IXUSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
240 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
1.8V @ 56µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
109mA (Ta), 121mA (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
14Ohm @ 120mA, 10V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
2.6 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
74 pF @ 120 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
400mW (Ta), 440mW (Tc)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-SOT23-3-U03
