BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1
BSS83IXUSA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Carcasa：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de FET：
P-Channel
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
4.5V, 10V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
2V @ 34µA
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-SOT23-3-U03
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
320mA (Ta), 550mA (Tc)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
1.09 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
72 pF @ 30 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
400mW (Ta), 1.04W (Tc)
