IMCQ120R040M2HXTMA1
SIC DISCRETE
IMCQ120R040M2HXTMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
56A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
288W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
15V, 18V
Vgs (Máx.)：
+23V, -5V
Paquete / Carcasa：
22-PowerBSOP Module
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.1V @ 5.5mA
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-HDSOP-22-3
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
42.4 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
1660 pF @ 800 V
