IMZA120R022M2HXKSA1
IMZA120R022M2HXKSA1
IMZA120R022M2HXKSA1 Specifications
Tipo de Montaje：
Through Hole
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de FET：
N-Channel
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
1200 V
Paquete / Carcasa：
TO-247-4
Disipación de Potencia (Máx.)：
329W (Tc)
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Máx.)：
+25V, -10V
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
15V, 18V
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TO247-4-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
5.1V @ 10.1mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
71 nC @ 18 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
2330 pF @ 800 V
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
29mOhm @ 32A, 18V
