IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1
IPB095N20NM6ATMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
200 V
Paquete / Carcasa：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
66 nC @ 10 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V, 15V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
5500 pF @ 100 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 62A, 15V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4.5V @ 186µA
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TO263-3-U01
