IPF048N15NM6ATMA1
TRENCH >=100V
IPF048N15NM6ATMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
150 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
64 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TO263-7-3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
4700 pF @ 75 V
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4V @ 131µA
Disipación de Potencia (Máx.)：
3.8W (Ta), 234W (Tc)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
8V, 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
18.4A (Ta), 146A (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
4.6mOhm @ 58A, 15V
