IPM018N10NM5LF2AUMA1
IPM018N10NM5LF2AUMA1
IPM018N10NM5LF2AUMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
100 V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado：
-
Calificación：
-
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V, 15V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
178 nC @ 10 V
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-HSOG-4-1
Paquete / Carcasa：
4-PowerSFN
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 100A, 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
30A (Ta), 285A (Tc)
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
3.45V @ 240µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
14000 pF @ 50 V
Disipación de Potencia (Máx.)：
3.8W (Ta), 349W (Tc)
