IPT60R160CM8XTMA1
IPT60R160CM8XTMA1
IPT60R160CM8XTMA1 Specifications
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de Montaje：
Surface Mount
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
18 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
19A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
600 V
Paquete / Carcasa：
8-PowerSFN
Disipación de Potencia (Máx.)：
124W (Tc)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
160mOhm @ 6.3A, 10V
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-HSOF-8
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4.7V @ 150µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
785 pF @ 400 V
