IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1
IPZA65R018CM8XKSA1 Specifications
Tipo de Montaje：
Through Hole
Estado de la Pieza：
Active
Tipo de FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de Conducción (Máxima Rds Encendido, Mínima Rds Encendido)：
10V
Vgs (Máx.)：
±20V
FET Característica：
-
Grado：
-
Calificación：
-
Temperatura de Operación：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de Potencia (Máx.)：
521W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25°C：
116A (Tc)
Voltaje de Drenaje a Fuente (Vdss)：
650 V
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs：
173 nC @ 10 V
Paquete / Carcasa：
TO-247-4
Proveedor Dispositivo Paquete：
PG-TO247-4-U02
Vgs(umbral) (Máx.) @ Id：
4.7V @ 1.48mA
Rds On (Máx) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 55.6A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds：
8290 pF @ 400 V
