DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 25A
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
部品ステータス:
Active
実装タイプ:
Chassis Mount
FETフィーチャー:
-
テクノロジー:
-
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大:
-
コンフィギュレーション:
2 N-Channel (Dual)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss):
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.15V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs:
74nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds:
2200pF @ 800V