F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
75A (Tj)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 75A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 30mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
223nC @ 18V
