FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
149nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
4400pF @ 800V
コンフィギュレーション：
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
