DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
50A (Tj)
サプライヤーデバイスパッケージ：
AG-EASY3B
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
26.5mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 34mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
234nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
7240pF @ 1.2kV
