DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
45A
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
サプライヤーデバイスパッケージ：
AG-EASY1B
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 20mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
149nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
4400pF @ 800V
