F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
297nC @ 18V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
2000V (2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 112mA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
24100pF @ 1.2kV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
155A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
8.7mOhm @ 100A, 18V
