F411MR12W2M1HPB76BPSA1
MOSFET
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
60A
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6600pF @ 800V
FETフィーチャー：
Silicon Carbide (SiC)
