F417MR12W1M1HB76BPSA1
LOW POWER EASY
F417MR12W1M1HB76BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
45A
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
4 N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
200nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6050pF @ 800V
FETフィーチャー：
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 20mA
