F423MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET 4N-CH 1200V 45A AG-EASY1B
F423MR12W1M1B76BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
実装タイプ：
Chassis Mount
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
コンフィギュレーション：
4 N-Channel (Full Bridge)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 20mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
22.5mOhm @ 50A, 15V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
124nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
3680pF @ 800V
サプライヤーデバイスパッケージ：
AG-EASY1B-2
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
45A (Tj)
