F433MR12W1M1HB76BPSA1
LOW POWER EASY
F433MR12W1M1HB76BPSA1 Specifications
部品ステータス:
Active
実装タイプ:
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:
-
グレード:
-
認定:
-
パッケージ / ケース:
Module
パワー - 最大:
-
動作温度:
-40°C ~ 175°C (TJ)
テクノロジー:
Silicon Carbide (SiC)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
25A
コンフィギュレーション:
4 N-Channel
FETフィーチャー:
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
32.3mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.15V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs:
74nC @ 18V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds:
2200pF @ 800V