F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
サプライヤーデバイスパッケージ：
Module
コンフィギュレーション：
4 N-Channel (Full Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
35A
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4.45V @ 1.74mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
141nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6950pF @ 400V
