F445MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
F445MR12W1M1B76BPSA1 Specifications
部品ステータス:
Obsolete
実装タイプ:
Chassis Mount
FETフィーチャー:
-
パッケージ / ケース:
Module
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大:
-
コンフィギュレーション:
4 N-Channel (Full Bridge)
テクノロジー:
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss):
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
45mOhm @ 25A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.55V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs:
62nC @ 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds:
1840pF @ 800V
サプライヤーデバイスパッケージ:
AG-EASY1B-2