FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 1200V
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
動作温度：
-
FETフィーチャー：
-
実装タイプ：
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パッケージ / ケース：
-
コンフィギュレーション：
-
Vgs(th) (Max) @ Id：
-
テクノロジー：
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パワー - 最大：
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
