FF4MR12W2M1HB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
サプライヤーデバイスパッケージ：
Module
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 80mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 200A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
594nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
17600pF @ 800V
