FF4MR12W2M1HB70BPSA1
LOW POWER EASY
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Half Bridge)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
200A
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 80mA
FETフィーチャー：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
4mOhm @ 200A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
594nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
17600pF @ 800V
