FF4MR20KM1HHPSA1
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
FF4MR20KM1HHPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
パワー - 最大：
-
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
動作温度：
-40°C ~ 175°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
280A (Tc)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 168mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
AG-62MMHB
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
2000V (2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.3mOhm @ 300A, 18V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
1170nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
36100pF @ 1.2kV
