FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
サプライヤーデバイスパッケージ：
Module
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
5.63mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 80mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
496nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
14700pF @ 800V
