FS03MR12A6MA1LBBPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
FETフィーチャー：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
コンフィギュレーション：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
サプライヤーデバイスパッケージ：
AG-HYBRIDD-2
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
400A
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
3.7mOhm @ 400A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.55V @ 240mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
1320nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
42500pF @ 600V
