FS13MR12W2M1HB70BPSA1
MOSFET 6N-CH 1200V 62.5A
FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
動作温度：
-
FETフィーチャー：
-
実装タイプ：
-
パッケージ / ケース：
-
コンフィギュレーション：
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
62.5A (Tc)
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 28mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
200nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6050pF @ 800V
