FS13MR12W2M1HC55BPSA1
LOW POWER EASY
FS13MR12W2M1HC55BPSA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ：
-
グレード：
-
認定：
-
パッケージ / ケース：
Module
動作温度：
-40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大：
-
テクノロジー：
Silicon Carbide (SiC)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
11.7mOhm @ 62.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id：
5.15V @ 28mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
200nC @ 18V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
6050pF @ 800V
FETフィーチャー：
Silicon Carbide (SiC)
コンフィギュレーション：
6 N-Channel
