IPG20N06S2L65AAUMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
IPG20N06S2L65AAUMA1 Specifications
部品ステータス：
Obsolete
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
12nC @ 10V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
55V
パッケージ / ケース：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 14µA
実装タイプ：
Surface Mount, Wettable Flank
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 15A, 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
410pF @ 25V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TDSON-8-10
パワー - 最大：
43W (Tc)
