IQE008N03LM5CGSCATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
IQE008N03LM5CGSCATMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
動作温度：
-
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー：
-
Vgs(th) (Max) @ Id：
-
パワー - 最大：
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
-
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
-
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Half Bridge)
パッケージ / ケース：
9-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-WHTFN-9
