IRF7341TRPBFXTMA1
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
IRF7341TRPBFXTMA1 Specifications
部品ステータス：
Active
実装タイプ：
Surface Mount
パッケージ / ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
コンフィギュレーション：
2 N-Channel (Dual)
FETフィーチャー：
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss)：
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：
50mOhm @ 4.7A, 10V
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs：
36nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds：
740pF @ 25V
パワー - 最大：
2W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-DSO-8-902
