BSZ0908NDXTMA2
MOSFET 2N-CH 30V 4.8A WISON-8
BSZ0908NDXTMA2 Specifications
Статус детали：
Obsolete
Тип монтажа：
Surface Mount
Технология：
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id：
2V @ 250µA
Конфигурация：
2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
30V
Корпус：
8-PowerVDFN
FET Особенности：
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Поставщик Устройство Корпус：
PG-WISON-8
Мощность - Максимальная：
700mW (Ta), 860mW (Ta)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
4.8A (Ta), 7.6A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
340pF @ 15V, 730pF @ 15V
