FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус：
-
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Корпус：
Module
Рабочая температура：
-40°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Максимальная：
-
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
40A (Tj)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
16.2mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 20mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
149nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
4400pF @ 800V
Конфигурация：
6 N-Channel (Three Phase Inverter)
