FF1MR12MM1HPB11BPSA1
FF1MR12MM1HPB11BPSA1
FF1MR12MM1HPB11BPSA1 Specifications
Статус детали：
Active
Тип монтажа：
Chassis Mount
FET Особенности：
-
Класс：
-
Квалификация：
-
Корпус：
Module
Мощность - Максимальная：
-
Рабочая температура：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Конфигурация：
2 N-Channel (Half Bridge)
Технология：
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss)：
1200V (1.2kV)
Поставщик Устройство Корпус：
AG-ECONOD
Vgs(th) (макс.) при Id：
5.15V @ 224mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs：
1600nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds：
48400pF @ 800V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs：
1.91mOhm @ 500A, 18V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C：
470A (Tj)
